美国加州当地时间本月14日，泛林集团（Lam Research）宣布其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证。该技术能够在逻辑半导体后道工艺中实现28nm间距的直接图案化，满足2nm及以下先进制程的需求。与常用的湿式旋涂光刻胶不同，泛林的干式光刻胶由小于0.5nm的金属有机微粒单元气相沉积而成，具备更优秀的光子捕获能力和更好的厚度调控性能。
这一新型光刻胶不仅克服了EUV光刻领域中的曝光剂量和缺陷率问题，还更为环保。目前，该技术已在0.33 NA EUV光刻机上得到验证，并有望扩展至未来的0.55 NA EUV光刻平台，进一步推动半导体制造技术的进步。
免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。
