点评：这款本屏幕节省了重量，同时电池也不大，应该就是为了实现1kg这个目标。 这款本配置了Ultra5125H，4性能核心，8效能核心，2个低功耗效能核心，14核，18线程。 点评：这款本虽然用了13.5…

首先，大家需要明白，笔记本的配置主要由几个关键部分组成：处理器、内存、存储、显卡和显示屏。如果你只是用来上网、看视频，选择一款中等配置的笔记本就可以了；如果你需要进行图像处理、视频剪辑等专业工作，那么高性能…

很多程序在使用过程中，都会产生一些缓存文件。这些缓存虽然可以加快应用的启动速度，但时间长了也会占用不少内存。也可以在“设置”里选择“App Store”，关闭“自动下载”功能，这样可以避免应用在后台自动更新而…

在众多的百元手机中，我比较看好OPPO K12x这款手机，其实这款手机最初的定位在千元价位，因为上市时间挺久了，现在OPPOK12x已经沦为了百元机，目前12GB+256GB版本988元就能买到！ 考虑到…

根据 TrendForce 最新调查报告，2024 年第三季度之前，消费型产品终端需求依然疲软，主要需求靠 AI 服务器支撑。

混合键合可容纳较多堆叠层数与较大晶粒厚度，还能提升芯片传输速度，散热表现也更为优异。

三星正与客户就改进版 HBM3E 的供应进行谈判，预计将于明年上半年实现量产。三星电子第三季度 HBM 内存总销售额环比增长超 70%，HBM3E 已占到整体一成。

P4 工厂一期未来每月还可贡献约 1 万片 NAND 闪存晶圆。

此次合作将结合南亚科技的 10nm 级 DRAM 技术和补丁科技在定制内存产品方面的设计能力。

美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示，美光计划投资 21.7 亿美元（IT之家备注：当前约 158.76 亿元人民币）扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，创造 340 个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将对该设施进行升级，以

继消息称三星有望今年第 3 季度开始向英伟达出货后，韩媒 sedaily 报道三星开始已在华城 17 号产线量产并向英伟达供应 HBM3 内存。

HBM 今年将贡献 DRAM 整体营收的 20%；QLC 今年将占到整体 NAND 位元出货的两成。

0C nm 即第 3 代 10nm 以下级节点。目前三大原厂最先进的工艺是 1b nm，即第 6 代 20~10 纳米级节点。

三星电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。平泽 P4 生产的 DRAM 有望用于 HBM4。

DRAM 内存产业 2024 年第二季合约价维持上涨姿态，具体涨幅落在 13%~18% 区间。

奇梦达曾一度成为全球第二大 DRAM 供应商，但因多方面原因于2009年申请破产。

无缓冲 HBM4 据信属于 HBM4 内存特殊变体，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。

今年整体消费者需求偏低，AI PC带来的换机潮尚未发酵，导致存储模组行业企业面临现金流压力。

自去年 10 月以来，DRAM 价格一直在稳步上涨，但 8 月下跌了 2.38%，这也是 DRAM 报价首次下跌，然后就是 9 月跌幅进一步加大。

三星计划年内建成首条 1c DRAM 量产线，但按规划明年底就要量产基于 1c DRAM 的 HBM4 内存。

OCTRAM 为一种采用 IGZO 晶体管的 4F2 VCT DRAM，较以往产品漏电流更低，能效更为优秀。

助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，提升键合强度与质量，但其残余也会扩大 HBM 堆栈各 Die 之间的间隙。

三星 Q3 营收为 107 亿美元（当前约 775.72 亿元人民币），环比增长 9%，排名维持第一，出货量与上季持平，但市场份额反而有所下降。

三星首条 1c nm 量产线将设置于韩国京畿道平泽 P4 工厂，由于良率尚待改进初期投资规模有限。

据悉三星电子的 HBM3E 在发热和功耗等性能参数上无法满足英伟达的要求并非因键合工艺不同导致。

2025Q1 进入 DRAM 市场淡季，在智能手机等需求持续萎缩、部分产品提前备货的背景下各类别内存价格均将下滑。

1e nm DRAM 有望于 2028 年推出，若其最终走向商业化则 4F2 VCT DRAM 的量产预计将至少延至 2029 年。

逻辑芯片也称基础裸片、接口芯片，在整体 HBM 内存堆栈中起到“大脑”的作用，同时也是发热大户。

美光曾表示该企业的目标是将其在 HBM 细分市场的占有率从此前的低个位数百分比提升至与整体 DRAM 领域相当的 20%。

美光英睿达还准备了128GB的套条版本，型号为CT2K64G56C46U5，适合需要更高内存容量以支撑多任务处理的用户。目前，两条48GB的DDR5-5600笔记本内存套装售价为1695元，而64GB套条的价…